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1200A IGBT测试之T3Ster热阻测试系统

发布时间: 2015-10-14   浏览次数:   作者:迈昂科技

      在当今快速发展的工业领域里,电子元器件完成了极其伟大的功能。其中功率器件比如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、场效应管(MOSFET)、双极性晶体管(BJT)、功率MOSFET等已经广泛应用于越来越多的领域。如何来评估这些功率器件的热阻特性,我们通常会用到T3Ster热阻测试系统。


      T3Ster热阻测试系统是一种独特的设备,它能够对包括电力电子器件在内的半导体器件的热特性进行测量,从而对器件的散热设计进行优化,对散热性能进行针对性的改善。


      T3Ster热阻测试系统不仅适用于半导体器件的热特性的测量和分析,还可评估半导体器件的封装水平,可以对半导体器件封装的缺陷进行检测,以及在半导体器件进行可靠性测试后,对封装水平的进行再评估。


      此系统可以测试晶闸管、功率晶体管,大功率LED,MOSFET 和其他功率器件。

图1:1200A T3Ster热阻测试系统


1200A T3Ster 热阻测试系统的优势在于:
1、 结温度测量精度高,器件结温度的测量精度为 0.01°C;
2、 从加热状态和测量状态切换时间短,仅为 1μs;
3、 测试采样速率高且时间短,1μs /次,即1秒钟可以采样一百万次;
4、 采用先进的静态测试方法进行瞬态热测试,测试周期短,测试的重复性好;


1200A T3Ster 热阻测试系统可以输出如下的电气参数:
1、 加热电流:在器件电压 0~7V 的范围内,加热电流在 0~1200A 范围内线性输出;
2、 测试电流:在器件电压 0~7V 的范围内,测试电流在 0~2A 范围内线性输出;
3、 Gate 控制电压:0~30V 范围内线性输出;
4、 脉冲电流宽度:10ms~无穷大;


1200A T3Ster 热阻测试系统满足如下的要求:
1、 被测试器件数:每次进行一个 DUT 测试;
2、 具有 Power Cycle 的功能:循环次数 1~无穷大;
3、 适用的温度测试方法:器件的导通电压作为温度敏感参数;

4、 适用的瞬态测试方法:静态测试法(持续加热,冷却中连续测试),动态测试方法(脉冲加热,单点测试)。



     1200A T3Ster热阻测试系统能对电力电子器件暨大功率半导体器件进行瞬态热阻抗和稳态热阻测试,具有可靠、方便、准确地对被测半导体器件进行温度敏感参数的测量和校准的能力。温度敏感参数在测量和校准时,可采用外部液体循环器控制环境温度,从而对被测半导体器件的升温和冷却进行控制。

 
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